105年 TKB數位學堂 半導體 研究所 袁大為 23堂(含PDF電子書)函授DVD 影音教學版(3DVD)
課程內容:
001_01-01_半導體元件基本架構_01(1時36分01秒).mp4
002_01-02_半導體元件基本架構_02(1時14分12秒).mp4
003_02-01_固體的型式_01(1時57分15秒).mp4
004_02-02_固體的型式_02(1時10分50秒).mp4
005_03-01_1-9半導體材料成長~CH2量子學固態量子理論_01(1時44分36秒).mp4
006_03-02_1-9半導體材料成長~CH2量子學固態量子理論_02(1時14分25秒).mp4
007_04-01_一維非時變Schrodinger方程式p37_01(1時46分03秒).mp4
008_04-02_一維非時變Schrodinger方程式p37_02(1時24分23秒).mp4
009_05-01_Bohr氫原子模型p56_01(1時47分15秒).mp4
010_05-02_Bohr氫原子模型p56_01(1時20分26秒).mp4
011_06-01_2-8統計力學_01(1時49分52秒).mp4
012_06-02_2-8統計力學_02(1時08分40秒).mp4
013_07-01_對GaAs而言_01(1時57分33秒).mp4
014_07-02_對GaAs而言_02(1時15分36秒).mp4
015_08-01_三移動率之影響因素~四漸變雜質分佈_01(1時54分10秒).mp4
016_08-02_三移動率之影響因素~四漸變雜質分佈_02(1時09分19秒).mp4
017_09-01_4-4.Hall效應(1時54分32秒).mp4
018_09-02_5-2.過量載子的數學分析(1時05分50秒).mp4
019_10-01_題型一：僅與時間相關(1時54分34秒).mp4
020_10-02_5-5.過量載子生命期(1時18分48秒).mp4
021_11-01_第六章.PN接面(1時50分07秒).mp4
022_11-02_空乏區寬度(1時12分57秒).mp4
023_12-01_6-4不均勻參雜接面_01(1時55分57秒).mp4
024_12-02_6-4不均勻參雜接面_02(1時04分23秒).mp4
025_13-01_P182_01(1時34分48秒).mp4
026_13-02_P182_02(1時19分20秒).mp4
027_14-01_6-7~6-8順向偏壓之復合電流~6-10~6-11穿墜二極體.異質接面_01(0時41分52秒).mp4
028_14-02_6-7~6-8順向偏壓之復合電流~6-10~6-11穿墜二極體.異質接面_02(1時19分55秒).mp4
029_14-03_6-7~6-8順向偏壓之復合電流~6-10~6-11穿墜二極體.異質接面_03(1時12分00秒).mp4
030_15-01_異質平衡接面靜電學P205~電流增益P281(1時47分14秒).mp4
031_15-02_熱平衡電荷分佈與電場分析(1時20分25秒).mp4
032_16-01_Jrb：Jne與Jnc之差值(1時47分41秒).mp4
033_16-02_(三)射極能隙窄化(1時22分18秒).mp4
034_17-01_7-9開基極~HBT.P291~302_01(1時49分55秒).mp4
035_17-02_7-9開基極~HBT.P291~302_02(1時13分05秒).mp4
036_18-01_對電流增益的影響P301~臨限電壓P345(1時56分29秒).mp4
037_18-02_N基數MOS電容器(1時10分45秒).mp4
038_19-01_8-2.電容-電壓特性P346~電容-電壓關係室之堆導P361(1時44分32秒).mp4
039_19-02_MOSFET之結構與動作原理(1時20分48秒).mp4
040_20-01_頻率限制~接近貫穿效應_01(1時44分20秒).mp4
041_20-02_頻率限制~接近貫穿效應_02(1時16分48秒).mp4
042_21-01_8-6.cmos技術~9金半接面與接面場效電晶體_01(1時44分38秒).mp4
043_21-02_8-6.cmos技術~9金半接面與接面場效電晶體_02(1時07分51秒).mp4
044_22-01_CH9-3.電流電壓關係式.P435~轉移電導.P446(1時48分10秒).mp4
045_22-02_CH9-3.接面場效電晶體(1時12分32秒).mp4
046_23-01_ 9.EX9.6.P467_01(2時12分29秒).mp4
047_23-02_ 9.EX9.6.P467_02(2時41分48秒).mp4
講義
半導體元件(3版).pdf
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